2022 年出版书籍分享：含氟废水处理工艺及净化小强朗读版

2022 年出版书籍分享：含氟废水处理工艺及净化小强朗读版

净化没有终点，我们要一直前行，今天开始，把这本2022年出版的书分享给大家，净化小强已经看完了，净化小强的一个净化徒弟也抄完了，所以有声版和文字版一起分享。

全书165万字，800多页，净化小强一如既往的逐字逐句地朗读，有兴趣的可以扫描上方二维码收听。

1）含氟废水处理工艺：含氟废水是由芯片生产过程中的蚀刻工序产生的，采用氢氟酸、氟化铵、高纯水进行清洗。含氟废水的处理方法一般有：化学沉淀、吸附、混凝沉淀、反渗透、离子交换等。

本项目含氟废水处理前氟浓度为750mg/L，处理后外水要求在20mg/L以下。选择二级化学混凝沉淀工艺，先将含氟废水pH调至碱性（8.5～9.5），然后加入过量的钙盐（CaCl2），使溶液中的氟离子与钙离子结合生成氟化钙沉淀。CaF2沉淀为细小晶体，沉降速度极低，因此需投加30%浓度的混凝剂PAC（聚合氯化铝）和0.5%浓度的絮凝剂PAM（聚丙烯酰胺），使生成的CaF2形成矾花；在斜板沉淀池经吸附实现泥水分离。分离后的上清液经在线仪表检测合格后排入出水池，不合格的回流至含氟废水调节池。斜板沉淀池污泥斗中收集的污泥经气动泵输送至含氟污泥浓缩池浓缩，再进入板框压滤机压成泥饼外处理。含氟废水处理工艺流程见图1.8.27。

2）CMP废水及含铜废水处理工艺：化学机械抛光主要是利用磨料通过化学和机械作用将硅片表面凸起的多层金属化互连结构中的介质层和金属层磨掉。磨料是磨料、腐蚀剂和钝化剂的混合物。因此研磨后需要用纯水冲洗硅片表面残留的研磨液和从硅片上磨下来的颗粒。因此CMP废水中含有大量的纳米级颗粒悬浮液（平均粒径在70~165nm之间）、各种金属氧化物和化学试剂，悬浮物浓度较高且稳定。根据研磨表面类型的不同，CMP废水可分为“氧化层研磨废水”和“金属层研磨废水”。国内外对CMP废水的处理回用方法主要是物理法和化学法，包括化学混凝法、气浮法、膜法和电化学法等。

含铜废水的处理方法主要有沉淀法、离子交换法、生物法、电解法、蒸发回收法等。芯片企业含铜废水主要来源于晶圆制造加工过程中的电化学镀（ECP）和化学机械研磨工序，其主要重金属污染物为铜离子、银离子、镍离子，其氢氧化物的溶解度均能满足排放标准的要求，因此采用碱沉淀法将它们结合起来共同处理，同时利用共沉淀原理可以减少碱用量。各种金属离子去除的最佳pH值控制在8.5~9.5之间，使Cu²+与其它金属离子形成氢氧化物沉淀，然后加入重金属捕捉剂，使剩余的金属离子与重金属捕捉剂结合成较为稳定的螯合物。该重金属捕获剂具有很强的整合性，其反应可在常温及较宽的pH条件下进行，且不受重金属离子浓度的影响，在短时间内与重金属离子发生反应，迅速生成不溶性、含水量低、易过滤去除的絮状沉淀物，最后加入混凝剂、絮凝剂进行混凝沉淀去除。